MOSFET Vishay Siliconix SQJA76EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 75 A, PowerPAK SO-8L de 4 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 178-3722
- Nº ref. fabric.:
- SQJA76EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
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Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
0,525 €
(exc. IVA)
0,635 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
---|---|---|
3000 + | 0,525 € | 1.575,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 178-3722
- Nº ref. fabric.:
- SQJA76EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Estado RoHS: No aplica
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
TrenchFET® power MOSFET
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 75 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V |
Tipo de Encapsulado | PowerPAK SO-8L |
Serie | TrenchFET |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 4 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 5 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 2.5V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 3.5V |
Disipación de Potencia Máxima | 66 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
Material del transistor | Si |
Longitud | 5.99mm |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 66 nC a 10 V |
Ancho | 5mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Altura | 1.07mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Tensión de diodo directa | 1.2V |
Estándar de automoción | AEC-Q101 |
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