MOSFET, N-Canal Vishay SQJA76EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 75 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
178-3722
Nº ref. fabric.:
SQJA76EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

75A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

66nC

Disipación de potencia máxima Pd

66W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

5mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.07mm

Longitud

5.99mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
CN
TrenchFET® power MOSFET

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