MOSFET, N-Canal Vishay SQJ152ELP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 123 A, Mejora, SO-8 de 4 pines

No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Opciones de empaquetado:
Código RS:
210-5047
Nº ref. fabric.:
SQJ152ELP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

123A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SO-8

Serie

SQJ152ELP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22.5nC

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

136W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

6.25mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C tiene un tipo de encapsulado POWERPAK SO-8L con una corriente de drenaje

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

Certificación AEC-Q101

100 % RG y prueba UIS

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.