MOSFET, N-Canal Vishay SQJ140EP-T1_NE3, VDSS 40 V, ID 266 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
904-969
Nº ref. fabric.:
SQJ140EP-T1_NE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

266A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0021Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

49.2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

263W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.15mm

Certificaciones y estándares

ROHS

Anchura

4.9mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
GB
El MOSFET de potencia de Vishay proporciona un rendimiento de conmutación fiable y un funcionamiento eficiente para aplicaciones de automoción y entornos exigentes, lo que garantiza una gestión óptima de la potencia y una mayor longevidad del dispositivo.

Certificación AEC-Q101 para aplicaciones de automoción

La tecnología TrenchFET Gen IV optimiza las características de conmutación

La baja resistencia en estado activo mejora la eficiencia general

Amplio rango de temperaturas de funcionamiento de -55 a +175 °C

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