MOSFET, N-Canal Vishay SQJ140EP-T1_NE3, VDSS 40 V, ID 266 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 904-969
- Nº ref. fabric.:
- SQJ140EP-T1_NE3
- Fabricante:
- Vishay
La imagen representada puede no ser la del producto
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tira de 1 unidad)*
1,34 €
(exc. IVA)
1,62 €
(inc.IVA)
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Tira(s) | Por Tira |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,34 € |
| 10 - 24 | 0,88 € |
| 25 - 99 | 0,52 € |
| 100 - 499 | 0,50 € |
| 500 + | 0,49 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 904-969
- Nº ref. fabric.:
- SQJ140EP-T1_NE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 266A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0021Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 263W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 49.2nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.9mm | |
| Certificaciones y estándares | ROHS | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 266A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0021Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 263W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 49.2nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.9mm | ||
Certificaciones y estándares ROHS | ||
Longitud 6.15mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- GB
El MOSFET de potencia de Vishay proporciona un rendimiento de conmutación fiable y un funcionamiento eficiente para aplicaciones de automoción y entornos exigentes, lo que garantiza una gestión óptima de la potencia y una mayor longevidad del dispositivo.
Certificación AEC-Q101 para aplicaciones de automoción
La tecnología TrenchFET Gen IV optimiza las características de conmutación
La baja resistencia en estado activo mejora la eficiencia general
Amplio rango de temperaturas de funcionamiento de -55 a +175 °C
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SO-8 de 4 pines
- MOSFET VDSS -30 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V N, PowerPAK SO-8L de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS -60 V Modo de mejora, P de 8 pines
- MOSFET VDSS -60 V P, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS -60 V P, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 45 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET VDSS 45 V Mejora, PowerPAK de 8 pines