Módulos MOSFET Microchip, Canal N-Canal MSCSMC120AM04TBZ2AEG, VDSS 1200 V, ID 266 A, Mejora, config. Medio puente
- Código RS:
- 931-018
- Nº ref. fabric.:
- MSCSMC120AM04TBZ2AEG
- Fabricante:
- Microchip
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- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | Módulos MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 266A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | Phase Leg SiC MOSFET | |
| Tipo de montaje | Montaje directo | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 4.7V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 726nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 766W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Medio puente | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto Módulos MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 266A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie Phase Leg SiC MOSFET | ||
Tipo de montaje Montaje directo | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 4.7V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 726nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 766W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Medio puente | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo de potencia avanzado de Microchip ofrece una solución de paso de fase altamente eficiente, diseñada específicamente para aplicaciones exigentes donde la fiabilidad y el rendimiento son fundamentales.
Utiliza tecnología de carburo de silicio para reducir la pérdida de energía
Ofrece una baja desviación por sobretemperatura R, lo que garantiza un funcionamiento estable
Incorpora un termistor interno para una supervisión precisa de la temperatura
Ofrece un rendimiento excepcional en entornos de alta frecuencia