Módulo de potencia SiC Microchip, Canal N-Canal MSCSM330AM15CD3NG, VDSS 3300 V, ID 151 A, Modo de mejora, config. Medio

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Código RS:
854-516
Nº ref. fabric.:
MSCSM330AM15CD3NG
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de producto

Módulo de potencia SiC

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

151A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

3300V

Serie

mSiC

Tipo de montaje

Disipador

Modo de canal

Modo de mejora

Disipación de potencia máxima Pd

1013W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Configuración de transistor

Medio puente

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El módulo de potencia SiC avanzado de Microchip ofrece un diseño de pestaña de fase con impresionantes valores nominales, diseñado principalmente para aplicaciones de alta eficiencia en electrónica de potencia, lo que garantiza fiabilidad y rendimiento superior en condiciones exigentes.

Los diodos Schottky SiC integrados proporcionan una recuperación inversa cero para reducir las pérdidas

El diseño de la fuente Kelvin simplifica la disposición de los accionamientos de la puerta

Gestión térmica robusta con excelente resistencia térmica de unión a carcasa

La alta fiabilidad y las capacidades de montaje directo garantizan una integración perfecta

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