Módulo de potencia SiC STMicroelectronics A2U12M12W2-F2, VDSS 1200 V, ID 75 A, ACEPACK 2

El módulo de potencia STMicroelectronics representa una parte de una topología de inversor de 3 niveles tipo T que integra la tecnología avanzada de MOSFET de potencia de carburo de silicio. Este módulo aprovecha las propiedades innovadoras del material SiC de separación de banda ancha y un sustrato de alto rendimiento térmico. El resultado es una resistencia de conexión excepcionalmente baja por área de unidad y un excelente rendimiento de conmutación que es prácticamente independiente de la temperatura.

Topología de 3 niveles
Módulo de potencia ACEPACK 2
13 mΩ de RDS(on) típico de cada interruptor
Tensión de aislamiento con certificación UL de 2,5 kVrms
Sensor de temperatura NTC integrado
DBC basado en Cu-Al2O3-Cu
Pin de contacto de ajuste a presión
Un sensor NTC completa el diseño