Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 1200 V, ID 75 A, ACEPACK 2, Mejora de 8 pines, config.

Código RS:: 249-6719
Nº ref. fabric.:: A2U12M12W2-F2
Fabricante:: STMicroelectronics

Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 1200 V, ID 75 A, ACEPACK 2, Mejora de 8 pines, config.

Subtotal (1 bandeja de 18 unidades)*

4.164,678 €

(exc. IVA)

5.039,262 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Agotado temporalmente

Envío desde el 21 de enero de 2027

¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)	Por unidad	Por Bandeja*
18 +	231,371 €	4.164,68 €

*precio indicativo

Código RS:: 249-6719
Nº ref. fabric.:: A2U12M12W2-F2
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	Módulo de potencia SiC
	Corriente continua máxima de drenaje ld	75A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	1200V
	Encapsulado	ACEPACK 2
	Serie	A2U
	Tipo de montaje	Chasis
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	17mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	18 V
	Tensión directa Vf	2.9V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	298nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Configuración de transistor	Trifásico
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	UL
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca STMicroelectronics
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto Módulo de potencia SiC
	Corriente continua máxima de drenaje ld 75A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V
	Encapsulado ACEPACK 2
	Serie A2U
	Tipo de montaje Chasis
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 17mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 18 V
	Tensión directa Vf 2.9V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 298nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Configuración de transistor Trifásico
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares UL
	Estándar de automoción AEC-Q101

Datasheet - A2U12M12W2-F2

El módulo de potencia STMicroelectronics representa una parte de una topología de inversor de 3 niveles tipo T que integra la tecnología avanzada de MOSFET de potencia de carburo de silicio. Este módulo aprovecha las propiedades innovadoras del material SiC de separación de banda ancha y un sustrato de alto rendimiento térmico. El resultado es una resistencia de conexión excepcionalmente baja por área de unidad y un excelente rendimiento de conmutación que es prácticamente independiente de la temperatura.

Topología de 3 niveles

Módulo de potencia ACEPACK 2

13 mΩ de RDS(on) típico de cada interruptor

Tensión de aislamiento con certificación UL de 2,5 kVrms

Sensor de temperatura NTC integrado

DBC basado en Cu-Al2O3-Cu

Pin de contacto de ajuste a presión

Un sensor NTC completa el diseño

Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 1200 V, ID 75 A, ACEPACK 2, Mejora de 8 pines, config.

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Enlaces relacionados