Módulo de potencia SiC ROHM, N-Canal BSM180D12P3C007, VDSS 1.2 kV, ID 180 A, Mejora de 4 pines, 2
- Código RS:
- 144-2254
- Nº ref. fabric.:
- BSM180D12P3C007
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 144-2254
- Nº ref. fabric.:
- BSM180D12P3C007
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 1.2 kV | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 180 A | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 4 | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Altura | 17 mm | |
| Longitud | 122 mm | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 880 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Serie | BSM | |
| Anchura | 45.6 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 180 A | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 4 | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Altura 17 mm | ||
Longitud 122 mm | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 880 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Serie BSM | ||
Anchura 45.6 mm | ||
- COO (País de Origen):
- JP
Módulos de potencia SiC, ROHM
El módulo consta de un FET de alimentación DMOS de carburo de silicio (SiC) con un diodo de barrera Schottky (SBD) a través del drenador y la fuente.
Configuración de medio puente
Corriente baja de transitorios
Pérdidas de potencia por conmutación bajas
Conmutación de alta velocidad
Baja temperatura de funcionamiento
Transistores MOSFET, ROHM Semiconductor
Note
El módulo de alimentación SiC BSM180D12P2C101 no incluye diodos de barrera Schottky.
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