Módulo de potencia SiC ROHM BSM180D12P3C007, VDSS 1.200 V, ID 180 A, C de 4 pines, 2elementos

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Código RS:
144-2254
Nº ref. fabric.:
BSM180D12P3C007
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

180 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1.200 V

Serie

BSM

Tipo de Encapsulado

C

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

4

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.6V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.7V

Disipación de Potencia Máxima

880 W

Número de Elementos por Chip

2

Ancho

45.6mm

Longitud

122mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Material del transistor

SiC

Altura

17mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

COO (País de Origen):
JP

Módulos de potencia SiC, ROHM


El módulo consta de un FET de alimentación DMOS de carburo de silicio (SiC) con un diodo de barrera Schottky (SBD) a través del drenador y la fuente.

Configuración de medio puente

Corriente baja de transitorios

Pérdidas de potencia por conmutación bajas

Conmutación de alta velocidad

Baja temperatura de funcionamiento

Transistores MOSFET, ROHM Semiconductor


Note

El módulo de alimentación SiC BSM180D12P2C101 no incluye diodos de barrera Schottky.

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