Módulo de potencia SiC ROHM, Tipo N-Canal BSM180D12P3C007, Mejora de 4 pines, 2
- Código RS:
- 144-2254
- Nº ref. fabric.:
- BSM180D12P3C007
- Fabricante:
- ROHM
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bandeja* |
|---|---|---|
| 12 + | 579,802 € | 6.957,62 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 144-2254
- Nº ref. fabric.:
- BSM180D12P3C007
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Serie | BSM | |
| Número de pines | 4 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 17mm | |
| Longitud | 122mm | |
| Anchura | 45.6mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Serie BSM | ||
Número de pines 4 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 17mm | ||
Longitud 122mm | ||
Anchura 45.6mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
- COO (País de Origen):
- JP
Módulos de potencia SiC, ROHM
El módulo consta de un FET de alimentación DMOS de carburo de silicio (SiC) con un diodo de barrera Schottky (SBD) a través del drenador y la fuente.
Configuración de medio puente
Corriente baja de transitorios
Pérdidas de potencia por conmutación bajas
Conmutación de alta velocidad
Baja temperatura de funcionamiento
Transistores MOSFET, ROHM Semiconductor
Note
El módulo de alimentación SiC BSM180D12P2C101 no incluye diodos de barrera Schottky.
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