MOSFET ROHM, Tipo N-Canal SP8K33HZGTB, VDSS 60 V, ID 5 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 222-4370
- Nº ref. fabric.:
- SP8K33HZGTB
- Fabricante:
- ROHM
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
2.105,00 €
(exc. IVA)
2.547,50 €
(inc.IVA)
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,842 € | 2.105,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4370
- Nº ref. fabric.:
- SP8K33HZGTB
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOP | |
| Serie | SP8K33 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 48mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.75mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOP | ||
Serie SP8K33 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 48mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6mm | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.75mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET Rohm de grado de automoción SP8K33HZG n con certificación EC-Q101. Se incluyen dos MOSFET NCH 60V en el encapsulado SOP8. Diodo de protección ESD integrado. Ideal para aplicaciones de conmutación
Baja resistencia
Encapsulado pequeño para montaje superficial (SOP8)
Chapado de cable sin plomo ; En conformidad con RoHS
Sin halógenos
Chapado en Sn100 %
Certificación AEC-Q101
Enlaces relacionados
- MOSFET ROHM VDSS 60 V SOP 2, config. Doble
- MOSFET ROHM VDSS 80 V SOP 2, config. Doble
- MOSFET ROHM VDSS 45 V SOP 2, config. Doble
- MOSFET ROHM VDSS 45 V SOP 2, config. Doble
- MOSFET ROHM VDSS 100 V SOP 2, config. Doble
- MOSFET ROHM VDSS 60 V SOP 2, config. Doble
- MOSFET ROHM VDSS 100 V SOP 2, config. Doble
- MOSFET ROHM VDSS 80 V SOP 2, config. Doble