MOSFET ROHM, Tipo N-Canal SP8K33HZGTB, VDSS 60 V, ID 5 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
222-4370
Nº ref. fabric.:
SP8K33HZGTB
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SP8K33

Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

48mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Altura

1.75mm

Anchura

6 mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET Rohm de grado de automoción SP8K33HZG n con certificación EC-Q101. Se incluyen dos MOSFET NCH 60V en el encapsulado SOP8. Diodo de protección ESD integrado. Ideal para aplicaciones de conmutación

Baja resistencia

Encapsulado pequeño para montaje superficial (SOP8)

Chapado de cable sin plomo ; En conformidad con RoHS

Sin halógenos

Chapado en Sn100 %

Certificación AEC-Q101

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