MOSFET ROHM, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, ID 3 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
222-4375
Nº ref. fabric.:
SP8K52HZGTB
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SOP

Serie

SP8K52

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

17mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.5nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.75mm

Longitud

5mm

Anchura

6 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET Rohm de grado de automoción SP8K52HZG n con certificación EC-Q101. Se incluyen dos MOSFET NCH 100V en el encapsulado SOP8. Diodo de protección ESD integrado. Ideal para aplicaciones de conmutación.

Baja resistencia

Encapsulado pequeño para montaje superficial (SOP8)

Chapado de cable sin plomo ; En conformidad con RoHS

Certificación AEC-Q101

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