MOSFET ROHM, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, ID 3 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
222-4375
Nº ref. fabric.:
SP8K52HZGTB
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SP8K52

Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

17mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Anchura

6 mm

Altura

1.75mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET Rohm de grado de automoción SP8K52HZG n con certificación EC-Q101. Se incluyen dos MOSFET NCH 100V en el encapsulado SOP8. Diodo de protección ESD integrado. Ideal para aplicaciones de conmutación.

Baja resistencia

Encapsulado pequeño para montaje superficial (SOP8)

Chapado de cable sin plomo ; En conformidad con RoHS

Certificación AEC-Q101

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