MOSFET ROHM, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, ID 3 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

1.425,00 €

(exc. IVA)

1.725,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponibilidad de stock no accesible
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2500 +0,57 €1.425,00 €

*precio indicativo

Código RS:
222-4375
Nº ref. fabric.:
SP8K52HZGTB
Fabricante:
ROHM
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SOP

Serie

SP8K52

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

17mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.75mm

Anchura

6 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET Rohm de grado de automoción SP8K52HZG n con certificación EC-Q101. Se incluyen dos MOSFET NCH 100V en el encapsulado SOP8. Diodo de protección ESD integrado. Ideal para aplicaciones de conmutación.

Baja resistencia

Encapsulado pequeño para montaje superficial (SOP8)

Chapado de cable sin plomo ; En conformidad con RoHS

Certificación AEC-Q101

Enlaces relacionados