MOSFET ROHM, Tipo N-Canal SP8K41HZGTB, VDSS 80 V, ID 3.4 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 222-4374
- Nº ref. fabric.:
- SP8K41HZGTB
- Fabricante:
- ROHM
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
12,85 €
(exc. IVA)
15,55 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 3940 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,57 € | 12,85 € |
| 50 - 95 | 2,248 € | 11,24 € |
| 100 - 245 | 1,996 € | 9,98 € |
| 250 - 995 | 1,80 € | 9,00 € |
| 1000 + | 1,766 € | 8,83 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4374
- Nº ref. fabric.:
- SP8K41HZGTB
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | SP8K41 | |
| Encapsulado | SOP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Altura | 1.75mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6 mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie SP8K41 | ||
Encapsulado SOP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Altura 1.75mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6 mm | ||
Longitud 5mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET Rohm de grado de automoción SP8K41HZG n con certificación EC-Q101. Se incluyen dos MOSFET NCH 80V en el encapsulado SOP8. Diodo de protección ESD integrado. Ideal para aplicaciones de conmutación.
Baja resistencia
Encapsulado pequeño para montaje superficial (SOP8)
Chapado de cable sin plomo ; En conformidad con RoHS
Sin halógenos
Chapado en Sn100 %
Certificación AEC-Q101
Enlaces relacionados
- MOSFET ROHM VDSS 80 V SOP 2, config. Doble
- MOSFET ROHM VDSS 100 V SOP 2, config. Doble
- MOSFET ROHM VDSS 45 V SOP 2, config. Doble
- MOSFET ROHM VDSS 45 V SOP 2, config. Doble
- MOSFET ROHM VDSS 100 V SOP 2, config. Doble
- MOSFET ROHM VDSS 45 V SOP 2, config. Doble
- MOSFET ROHM VDSS 45 V SOP 2, config. Doble
- MOSFET ROHM VDSS 60 V SOP 2, config. Doble
