Módulo de potencia SiC ROHM, Tipo N-Canal BSM300D12P2E001, VDSS 1200 V, ID 300 A, Mejora de 4 pines, 2

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Código RS:
144-2260
Nº ref. fabric.:
BSM300D12P2E001
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

Módulo de potencia SiC

Corriente continua máxima de drenaje ld

300A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

BSM

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

4

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

1875W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

17mm

Longitud

152mm

Anchura

57.95 mm

Número de elementos por chip

2

COO (País de Origen):
JP

Módulos de alimentación SiC, ROHM


El módulo consta de dispositivos FET de potencia DMOS de carburo de silicio (SiC) con un diodo de barrera de Schottky (SBD) a través del drenaje y la fuente.

Configuración de medio puente

Corriente de transitorios baja

Pérdidas de conmutación de baja potencia

Conmutación de alta velocidad

Temperatura de funcionamiento baja

Transistores MOSFET, ROHM Semiconductor


Note

El módulo de alimentación SiC BSM180D12P2C101 no incluye diodos de barrera Schottky.

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