Módulo de potencia SiC ROHM, Tipo N-Canal BSM300D12P2E001, VDSS 1200 V, ID 300 A, Mejora de 4 pines, 2
- Código RS:
- 144-2260
- Nº ref. fabric.:
- BSM300D12P2E001
- Fabricante:
- ROHM
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 144-2260
- Nº ref. fabric.:
- BSM300D12P2E001
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 300A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | BSM | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 4 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1875W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 17mm | |
| Longitud | 152mm | |
| Anchura | 57.95 mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 300A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie BSM | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 4 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1875W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 17mm | ||
Longitud 152mm | ||
Anchura 57.95 mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
- COO (País de Origen):
- JP
Módulos de alimentación SiC, ROHM
El módulo consta de dispositivos FET de potencia DMOS de carburo de silicio (SiC) con un diodo de barrera de Schottky (SBD) a través del drenaje y la fuente.
Configuración de medio puente
Corriente de transitorios baja
Pérdidas de conmutación de baja potencia
Conmutación de alta velocidad
Temperatura de funcionamiento baja
Transistores MOSFET, ROHM Semiconductor
Note
El módulo de alimentación SiC BSM180D12P2C101 no incluye diodos de barrera Schottky.
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