Módulo de potencia SiC ROHM, N-Canal BSM120D12P2C005, VDSS 1.2 kV, ID 240 A, Mejora de 4 pines, config. Medio puente
- Código RS:
- 144-2257
- Nº ref. fabric.:
- BSM120D12P2C005
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 144-2257
- Nº ref. fabric.:
- BSM120D12P2C005
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 240A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2kV | |
| Serie | BSM | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 935W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Configuración de transistor | Medio puente | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 17mm | |
| Longitud | 122mm | |
| Anchura | 45.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 240A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2kV | ||
Serie BSM | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 935W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Configuración de transistor Medio puente | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 17mm | ||
Longitud 122mm | ||
Anchura 45.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- JP
Módulos de potencia SiC, ROHM
El módulo consta de un FET de alimentación DMOS de carburo de silicio (SiC) con un diodo de barrera Schottky (SBD) a través del drenador y la fuente.
Configuración de medio puente
Corriente baja de transitorios
Pérdidas de potencia por conmutación bajas
Conmutación de alta velocidad
Baja temperatura de funcionamiento
Transistores MOSFET, ROHM Semiconductor
Note
El módulo de alimentación SiC BSM180D12P2C101 no incluye diodos de barrera Schottky.
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