Módulo de potencia SiC onsemi, Tipo N-Canal NXH006P120MNF2PTG, VDSS 1200 V, ID 304 A, F2 de 36 pines, config. Aislado

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Código RS:
229-6510
Nº ref. fabric.:
NXH006P120MNF2PTG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

Módulo de potencia SiC

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

304A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

F2

Tipo de montaje

Chasis

Número de pines

36

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

847nC

Disipación de potencia máxima Pd

950W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Aislado

Anchura

57 mm

Longitud

63.3mm

Altura

17mm

Certificaciones y estándares

Halide Free, Pb-Free, RoHS

Estándar de automoción

No

El módulo DE potencia ON Semiconductor contiene un medio puente MOSFET de SiC de 1200 V y un termistor en un encapsulado F2. Se suele utilizar en inversor solar, SAI, estaciones de carga de vehículos eléctricos y alimentación industrial.

Opciones con material de interfaz térmica preaplicado

Opciones con contactos soldables y contactos de encaje a presión

Sin plomo

En conformidad con RoHS

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