Módulo de potencia SiC onsemi FFSP3065A, ID 28 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 172-8971
Nº ref. fabric.:: FFSP3065A
Fabricante:: onsemi

Módulo de potencia SiC onsemi FFSP3065A, ID 28 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

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Código RS:: 172-8971
Nº ref. fabric.:: FFSP3065A
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	Módulo de potencia SiC
	Corriente continua máxima de drenaje ld	28A
	Encapsulado	TO-220
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	2.4V
	Disipación de potencia máxima Pd	240W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Configuración de transistor	Simple
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	4.8 mm
	Altura	16.51mm
	Longitud	10.67mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto Módulo de potencia SiC
	Corriente continua máxima de drenaje ld 28A
	Encapsulado TO-220
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 2.4V
	Disipación de potencia máxima Pd 240W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Configuración de transistor Simple
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 4.8 mm
	Altura 16.51mm
	Longitud 10.67mm
	Estándar de automoción No

Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 30 A, 650 V, D1, TO-220-2L
Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 30 A, 650 V, D1, TO-220-2L

El diodo on Semiconductor TO-220-2L de carburo de silicio (SiC) Schottky es el producto más reciente que utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad con respecto al silicio. El diodo tiene muchas características Advanced como características de conmutación independientes de la temperatura y excelente rendimiento térmico que lo hace sin duda el semiconductores de potencia de próxima generación. Este diodo ofrece muchos beneficios que incluyen la mayor eficiencia, frecuencia de funcionamiento más rápida, mayor densidad de potencia, EMI reducida y menor tamaño y costo del sistema.

Características y ventajas

• avalancha 180mJ

• Facilidad de conexión en paralelo

• Alta capacidad de corriente de bombeo

• no hay recuperación de retroceso/no hay recuperación de avance

• rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 175 °C.

• coeficiente De temperatura Positivo

Aplicaciones

• Cargador EV

• Uso general

• Potencia industrial

• PFC

• circuitos de conmutación de potencia

• SMPS

• inversor solar

• UPS

• Soldadura

Certificaciones

• ANSI/ESD S20.20:2014

• bs en 61340-5-1:2007