Módulo de potencia SiC onsemi, ID 28 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 172-8780
- Nº ref. fabric.:
- FFSP3065A
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 172-8780
- Nº ref. fabric.:
- FFSP3065A
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 28A | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 240W | |
| Tensión directa Vf | 2.4V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 16.51mm | |
| Anchura | 4.8 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 28A | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 240W | ||
Tensión directa Vf 2.4V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 16.51mm | ||
Anchura 4.8 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 30 A, 650 V, D1, TO-220-2L
Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 30 A, 650 V, D1, TO-220-2L
El diodo on Semiconductor TO-220-2L de carburo de silicio (SiC) Schottky es el producto más reciente que utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad con respecto al silicio. El diodo tiene muchas características Advanced como características de conmutación independientes de la temperatura y excelente rendimiento térmico que lo hace sin duda el semiconductores de potencia de próxima generación. Este diodo ofrece muchos beneficios que incluyen la mayor eficiencia, frecuencia de funcionamiento más rápida, mayor densidad de potencia, EMI reducida y menor tamaño y costo del sistema.
Características y ventajas
• avalancha 180mJ
• Facilidad de conexión en paralelo
• Alta capacidad de corriente de bombeo
• no hay recuperación de retroceso/no hay recuperación de avance
• rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 175 °C.
• coeficiente De temperatura Positivo
Aplicaciones
• Cargador EV
• Uso general
• Potencia industrial
• PFC
• circuitos de conmutación de potencia
• SMPS
• inversor solar
• UPS
• Soldadura
Certificaciones
• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007
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