Módulo de potencia SiC onsemi NXH010P120MNF1PTG, VDSS 1200 V, F1-2PACK

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Código RS:
248-5824
Nº ref. fabric.:
NXH010P120MNF1PTG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

Módulo de potencia SiC

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

F1-2PACK

Tipo de montaje

Orificio pasante

Disipación de potencia máxima Pd

250W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

Módulo de SiC - topología de medio puente pack de 2 EliteSiC, 1.200 V, contactos de encaje a presión MOSFET SiC M1 de 10 mohm, material de interfaz térmica


El... de ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene un medio puente MOSFET SiC de 10 mohm/1.200 V y un termistor en un encapsulado F1.

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