Módulo de potencia SiC STMicroelectronics A2F12M12W2-F1, VDSS 1200 V, ID 75 A, ACEPACK 2, Mejora

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Código RS:
249-6718
Nº ref. fabric.:
A2F12M12W2-F1
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

Módulo de potencia SiC

Corriente continua máxima de drenaje ld

75A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

A2F

Encapsulado

ACEPACK 2

Tipo de montaje

Chasis

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

17mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

18 V

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

UL

Estándar de automoción

AEC-Q101

El módulo STMicroelectronics está diseñado como módulo de potencia en una topología de cuatro paquetes que integra tecnología MOSFET de potencia de carburo de silicio avanzada. El módulo aprovecha las propiedades innovadoras del material SiC de separación de banda ancha y un sustrato de alto rendimiento térmico.

Topología de cuatro paquetes

Módulo de potencia ACEPACK 2

13 mΩ de RDS(on) típico de cada interruptor

Tensión de aislamiento con certificación UL de 2,5 kVrms

Sensor de temperatura NTC integrado

DBC basado en Cu-Al2O3-Cu

Contactos de ajuste de presión

Excelente rendimiento de conmutación que es prácticamente independiente de la temperatura

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