Módulo de potencia SiC onsemi, VDSS 900 V, F1-2PACK

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Código RS:
248-5825
Nº ref. fabric.:
NXH010P90MNF1PTG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

Módulo de potencia SiC

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

900V

Encapsulado

F1-2PACK

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tensión máxima de la fuente de la puerta

18 V

Disipación de potencia máxima Pd

328W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El... de ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene un medio puente MOSFET SiC de 10 mohm/900 V y un termistor en un encapsulado F1.

Medio puente MOSFET SiC de 10 mohm/900 V

Opciones con material de interfaz térmica preaplicado y sin TIM preaplicado

Contactos de encaje a presión

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