Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal A2U12M12W2-F2, VDSS 1200 V, ID 75 A, ACEPACK 2, Mejora de 8

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Código RS:
249-6720
Nº ref. fabric.:
A2U12M12W2-F2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

Módulo de potencia SiC

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

75A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

ACEPACK 2

Serie

A2U

Tipo de montaje

Chasis

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

17mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

18 V

Tensión directa Vf

2.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

298nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Trifásico

Certificaciones y estándares

UL

Estándar de automoción

AEC-Q101

El módulo de potencia STMicroelectronics representa una parte de una topología de inversor de 3 niveles tipo T que integra la tecnología avanzada de MOSFET de potencia de carburo de silicio. Este módulo aprovecha las propiedades innovadoras del material SiC de separación de banda ancha y un sustrato de alto rendimiento térmico. El resultado es una resistencia de conexión excepcionalmente baja por área de unidad y un excelente rendimiento de conmutación que es prácticamente independiente de la temperatura.

Topología de 3 niveles

Módulo de potencia ACEPACK 2

13 mΩ de RDS(on) típico de cada interruptor

Tensión de aislamiento con certificación UL de 2,5 kVrms

Sensor de temperatura NTC integrado

DBC basado en Cu-Al2O3-Cu

Pin de contacto de ajuste a presión

Un sensor NTC completa el diseño

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