Conjuntos MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal M2P45M12W2-1LA, VDSS 1200 V, ID 30 A, ACEPACK DMT-32, Mejora de 32

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Código RS:
640-673
Nº ref. fabric.:
M2P45M12W2-1LA
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

Conjuntos MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

M2P45M12W2

Encapsulado

ACEPACK DMT-32

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

32

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

60.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

100nC

Tensión directa Vf

2.5V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Configuración de transistor

Topología Sixpack

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

27.90 mm

Longitud

44.50mm

Certificaciones y estándares

AQG 324, Automotive‐grade

Altura

5.90mm

Número de elementos por chip

6

Estándar de automoción

AQG 324

COO (País de Origen):
CN
Módulo de potencia para automoción de STMicroelectronics alojado en el encapsulado en ACEPACK DMT-32. Implementa una topología sixpack mediante el uso de MOSFET de carburo de silicio (SiC) de segunda generación, optimizada para la etapa de convertidor CC/CC en cargadores de a bordo (OBC) para vehículos híbridos y eléctricos. Diseñado para la conmutación de alta eficiencia y alta frecuencia, integra un termistor NTC para el control de la temperatura y cuenta con un sustrato aislado de nitruro de aluminio (AlN) para un rendimiento térmico superior.

Tensión de bloqueo de 1200 V para aplicaciones de alta tensión

RDS(on) típico de 47,5 mΩ para reducir las pérdidas por conducción

Temperatura máxima de unión de 175 °C para solidez térmica

Sustrato de DBC a base de Cu-AlN-Cu para una disipación térmica eficaz

Tensión de aislamiento de 3 kV para mayor seguridad

Sensor NTC integrado para retroalimentación térmica en tiempo real

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