Conjuntos MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal M2TP80M12W2-2LA, VDSS 1200 V, ID 30 A, ACEPACK DMT-32, Mejora de 32
- Código RS:
- 640-674
- Nº ref. fabric.:
- M2TP80M12W2-2LA
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | Conjuntos MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | ACEPACK DMT-32 | |
| Serie | M2TP80M12W2 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 32 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 114mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.10V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AQG 324 | |
| Longitud | 44.50mm | |
| Altura | 5.90mm | |
| Número de elementos por chip | 8 | |
| Estándar de automoción | AEC | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto Conjuntos MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado ACEPACK DMT-32 | ||
Serie M2TP80M12W2 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 32 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 114mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.10V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AQG 324 | ||
Longitud 44.50mm | ||
Altura 5.90mm | ||
Número de elementos por chip 8 | ||
Estándar de automoción AEC | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Módulo de potencia para automoción de alta eficiencia de STMicroelectronics incorporado en el encapsulado ACEPACK DMT-32. Implementa una topología de corrección del factor de potencia (PFC) trifásica de cuatro hilos mediante seis MOSFET de carburo de silicio (SiC) de segunda generación y dos diodos rectificadores. Diseñado para la etapa PFC de los cargadores de a bordo (OBC) de vehículos eléctricos e híbridos, ofrece una solución compacta y térmicamente optimizada con detección de temperatura integrada.
MOSFET de carburo de silicio de 1200 V con RDS(on) típico de 84 mΩ
Implementa una topología de corrección del factor de potencia (PFC) trifásica de cuatro hilos
Incluye diodos rectificadores de 1200 V / 20 A
Termistor NTC integrado para controlar la temperatura en tiempo real
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