Módulo de potencia SiC Microchip, Canal N-Canal MSCSM330AM07CD3NG, VDSS 3300 V, ID 295 A, Modo de mejora, config. Medio

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Código RS:
854-512
Nº ref. fabric.:
MSCSM330AM07CD3NG
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

Módulo de potencia SiC

Corriente continua máxima de drenaje ld

295A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

3300V

Serie

mSiC

Tipo de montaje

Disipador

Modo de canal

Modo de mejora

Disipación de potencia máxima Pd

1918W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Medio puente

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El módulo de alimentación de carburo de silicio de Microchip destaca en aplicaciones de alto rendimiento, ya que proporciona un manejo de tensión excepcional y capacidades de corriente de drenaje continua para entornos exigentes.

La robusta fiabilidad térmica garantiza un rendimiento óptimo a temperaturas elevadas

El diodo Schottky integrado proporciona una recuperación inversa cero, lo que mejora el comportamiento de conmutación

Diseñado con una configuración de fuente Kelvin para un control de puerta simplificado

El encapsulado compacto y aislado permite el montaje directo en disipadores

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