Módulo de potencia SiC Microchip, N-Canal MSCSM330AM07CD3NG, VDSS 3.3 kV, ID 295 A, Modo de mejora, config. Medio puente
- Código RS:
- 854-512
- Nº ref. fabric.:
- MSCSM330AM07CD3NG
- Fabricante:
- Microchip
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- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 295A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 3.3kV | |
| Serie | mSiC | |
| Tipo de montaje | Disipador | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1918W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Medio puente | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 295A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 3.3kV | ||
Serie mSiC | ||
Tipo de montaje Disipador | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1918W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Medio puente | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo de alimentación de carburo de silicio de Microchip destaca en aplicaciones de alto rendimiento, ya que proporciona un manejo de tensión excepcional y capacidades de corriente de drenaje continua para entornos exigentes.
La robusta fiabilidad térmica garantiza un rendimiento óptimo a temperaturas elevadas
El diodo Schottky integrado proporciona una recuperación inversa cero, lo que mejora el comportamiento de conmutación
Diseñado con una configuración de fuente Kelvin para un control de puerta simplificado
El encapsulado compacto y aislado permite el montaje directo en disipadores
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