Módulo de potencia SiC Microchip, Canal N-Canal MSCSM330DUM07CD3NG, VDSS 3300 V, ID 295 A, Modo de mejora, config. Medio
- Código RS:
- 854-514
- Nº ref. fabric.:
- MSCSM330DUM07CD3NG
- Fabricante:
- Microchip
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 295A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 3300V | |
| Serie | mSiC | |
| Tipo de montaje | Disipador | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1918W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Medio puente | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 295A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 3300V | ||
Serie mSiC | ||
Tipo de montaje Disipador | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1918W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Medio puente | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo de alimentación de carburo de silicio de Microchip combina la funcionalidad de fuente común doble con capacidades de alta tensión, diseñado para un funcionamiento eficiente y un rendimiento superior en aplicaciones exigentes.
La baja R DS(on) garantiza una pérdida de potencia mínima
El comportamiento de conmutación independiente de la temperatura aumenta la fiabilidad
La placa base de cobre proporciona una excelente gestión térmica
Cumple la directiva RoHS para operaciones respetuosas con el medioambiente
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