Módulo de potencia SiC Microchip, N-Canal MSCSM330DUM07D3NG, VDSS 3.3 kV, ID 295 A, Modo de mejora, config. Medio puente
- Código RS:
- 854-517
- Nº ref. fabric.:
- MSCSM330DUM07D3NG
- Fabricante:
- Microchip
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- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 295A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 3.3kV | |
| Serie | mSiC | |
| Tipo de montaje | Disipador | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1918W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Medio puente | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 295A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 3.3kV | ||
Serie mSiC | ||
Tipo de montaje Disipador | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1918W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Medio puente | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo de potencia de carburo de silicio de Microchip está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento, lo que proporciona funcionalidad de fuente común doble con una fiabilidad excepcional en condiciones exigentes. Este dispositivo gestiona eficazmente los requisitos de alta tensión y corriente.
La fuente Kelvin simplifica el accionamiento de la puerta, lo que mejora el rendimiento
Diseñado para un alto rendimiento térmico con baja resistencia térmica de unión a carcasa
Cumple con la normativa RoHS, lo que garantiza la seguridad medioambiental
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