Módulo de potencia SiC Microchip, Canal N-Canal MSCSM330DUM07D3NG, VDSS 3300 V, ID 295 A, Modo de mejora, config. Medio

La imagen representada puede no ser la del producto

Subtotal (1 unidad)*

733,92 €

(exc. IVA)

888,04 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 19 de febrero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 +733,92 €

*precio indicativo

Código RS:
854-517
Nº ref. fabric.:
MSCSM330DUM07D3NG
Fabricante:
Microchip
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Microchip

Tipo de producto

Módulo de potencia SiC

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

295A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

3300V

Serie

mSiC

Tipo de montaje

Disipador

Modo de canal

Modo de mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

1918W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Medio puente

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El módulo de potencia de carburo de silicio de Microchip está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento, lo que proporciona funcionalidad de fuente común doble con una fiabilidad excepcional en condiciones exigentes. Este dispositivo gestiona eficazmente los requisitos de alta tensión y corriente.

La fuente Kelvin simplifica el accionamiento de la puerta, lo que mejora el rendimiento

Diseñado para un alto rendimiento térmico con baja resistencia térmica de unión a carcasa

Cumple con la normativa RoHS, lo que garantiza la seguridad medioambiental

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.