Módulo de potencia SiC Microchip, Canal N-Canal MSCSM330AM07D3NG, VDSS 3300 V, ID 295 A, Modo de mejora, config. Medio

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Código RS:
854-515
Nº ref. fabric.:
MSCSM330AM07D3NG
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de producto

Módulo de potencia SiC

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

295A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

3300V

Serie

mSiC

Tipo de montaje

Disipador

Modo de canal

Modo de mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

1918W

Configuración de transistor

Medio puente

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El módulo de potencia de carburo de silicio de Microchip es una solución de paso de fase diseñada para aplicaciones de alta tensión y alta corriente, que aprovecha la tecnología de carburo de silicio para un rendimiento y una fiabilidad superiores.

Dispone de RDS(on) bajo para mejorar la eficiencia

Ofrece una excelente fiabilidad de ciclos térmicos y de potencia

Diseñado con una placa base de cobre para mejorar la disipación térmica

Incorpora una carcasa de plástico CTI600 que favorece un mayor flujo y separación

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