MOSFET sencillos, Canal P-Canal Vishay SQJ457EP-T1_NE3, VDSS -60 V, ID -36 A, Modo de mejora, P de 8 pines
- Código RS:
- 829-353
- Nº ref. fabric.:
- SQJ457EP-T1_NE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
1,76 €
(exc. IVA)
2,13 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 11 de febrero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,76 € |
| 10 - 99 | 1,08 € |
| 100 - 499 | 0,71 € |
| 500 - 999 | 0,56 € |
| 1000 + | 0,49 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 829-353
- Nº ref. fabric.:
- SQJ457EP-T1_NE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -36A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -60V | |
| Serie | SQJ | |
| Encapsulado | P | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.025Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 65nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 245W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.04mm | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Anchura | 4.90mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -36A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -60V | ||
Serie SQJ | ||
Encapsulado P | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.025Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 65nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 245W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.04mm | ||
Longitud 6.15mm | ||
Anchura 4.90mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- GB
El MOSFET de potencia de Vishay ofrece un rendimiento fiable para aplicaciones de automoción, proporcionando una conmutación eficiente y alta conductividad térmica para garantizar un funcionamiento robusto en diversas condiciones.
Certificación AEC-Q101 para aplicaciones de automoción
La tecnología TrenchFET mejora la eficiencia y reduce la pérdida de potencia
La resistencia de estado encendido a la tensión de puerta de -10 V es de 0,0250 ohmios
Corriente de drenaje continua nominal de -36 A para aplicaciones de alto rendimiento
Enlaces relacionados
- MOSFET sencillos VDSS 60 V Modo de mejora, P de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 200 V Modo de mejora, P de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 60 V Modo de mejora, P de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 80 V Modo de mejora, P de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 80 V Modo de mejora, P de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 80 V Modo de mejora, P de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS -40 V Modo de mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 40 V Modo de mejora, TO-252 de 3 pines