MOSFET sencillos, Canal N-Canal Vishay SQJ160ELP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 268 A, Modo de mejora, P de 8 pines

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Código RS:
829-352
Nº ref. fabric.:
SQJ160ELP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

268A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

P

Serie

SQJ

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00182Ω

Modo de canal

Modo de mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

91nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

245W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.04mm

Longitud

6.15mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Anchura

4.90mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
GB
El MOSFET de canal N de alto rendimiento de Vishay está diseñado para aplicaciones de automoción, lo que garantiza fiabilidad y eficiencia en entornos exigentes.

La tecnología TrenchFET mejora el rendimiento y reduce la pérdida de energía

Certificación AEC-Q101, lo que garantiza la conformidad para uso en automoción

Las amplias pruebas R y UIS garantizan una funcionalidad robusta

Diseñado para altas capacidades de corriente con una corriente de drenaje continua máxima de 268 A

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