MOSFET sencillos, Canal N-Canal Vishay SQJQ190ER-T1_GE3, VDSS 200 V, ID 95 A, Modo de mejora, P de 8 pines

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Código RS:
829-355
Nº ref. fabric.:
SQJQ190ER-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

95A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

SQJ

Encapsulado

P

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0143Ω

Modo de canal

Modo de mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

8.10mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Anchura

8mm

Altura

1.04mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE
El MOSFET de potencia de Vishay ofrece un rendimiento excepcional en aplicaciones de automoción, lo que garantiza un funcionamiento fiable en condiciones exigentes con capacidades de gestión térmica robustas tanto para el rendimiento como para la vida útil.

Tecnología TrenchFET para mejorar la eficiencia

Certificación AEC-Q101 para fiabilidad en la industria del automóvil

El perfil fino de 1,9 mm complementa los diseños compactos

La tensión de drenaje-fuente máxima de 200 V admite circuitos de alto rendimiento

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