MOSFET sencillos, Canal N-Canal Vishay SQJQ580ER-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 352 A, Modo de mejora, PowerPAK (8x8LR) de 8
- Código RS:
- 847-933
- Nº ref. fabric.:
- SQJQ580ER-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- 847-933
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- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 352A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | PowerPAK (8x8LR) | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00144Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 93nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 8mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS3 Compliant | |
| Altura | 1.60mm | |
| Longitud | 8mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 352A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado PowerPAK (8x8LR) | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00144Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 93nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 8mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS3 Compliant | ||
Altura 1.60mm | ||
Longitud 8mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de automoción de Vishay proporciona una conmutación eficiente de alto rendimiento para una gran variedad de aplicaciones exigentes, lo que garantiza la fiabilidad en condiciones extremas.
La tecnología TrenchFET Gen V garantiza una mayor eficiencia y rendimiento
Certificación AEC-Q101 para aplicaciones de automoción, lo que garantiza el cumplimiento de los estándares del sector
Corriente de drenaje continua nominal de 352 A en condiciones estándar
El perfil fino de 1,9 mm maximiza la eficiencia del espacio en los diseños
100 % probado para R y UIS, lo que garantiza un funcionamiento fiable
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