MOSFET, N-Canal Vishay SQJQ570ER-T1_GE3, VDSS 150 V, ID 189 A, Mejora, PowerPAK (8x8LR) de 8 pines

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Código RS:
735-253
Nº ref. fabric.:
SQJQ570ER-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

189A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

PowerPAK (8x8LR)

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0105Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

85nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.42mm

Altura

1.9mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Anchura

8mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

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