MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJQ184ER-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 430 A, Mejora, PowerPAK (8x8LR) de 8 pines

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Código RS:
252-0309
Nº ref. fabric.:
SQJQ184ER-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

430A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

SQJQ184ER

Encapsulado

PowerPAK (8x8LR)

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0014mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

43nC

Disipación de potencia máxima Pd

214W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.15mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Altura

1.9mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET de automoción de Vishay se fabrican en un flujo de proceso dedicado para una robustez estándar. Clasificada con una temperatura de unión máxima de 175 °C, la serie SQ Vishay Siliconix con certificación AEC-Q101 dispone de tecnologías FET de trinchera de canal n y p de baja resistencia de conexión en encapsulados SO sin plomo (Pb) y sin halógenos.

MOSFET de potencia TrenchFET

con certificación AEC-Q101

100 % comprobación Rg y UIS

Altura reducida de 1,9 mm

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