MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 430 A, Mejora, PowerPAK (8x8LR) de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*

3.662,00 €

(exc. IVA)

4.432,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2000 +1,831 €3.662,00 €

*precio indicativo

Código RS:
252-0308
Nº ref. fabric.:
SQJQ184ER-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

430A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PowerPAK (8x8LR)

Serie

SQJQ184ER

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0014mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

43nC

Disipación de potencia máxima Pd

214W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Longitud

6.15mm

Altura

1.9mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET de automoción de Vishay se fabrican en un flujo de proceso dedicado para una robustez estándar. Clasificada con una temperatura de unión máxima de 175 °C, la serie SQ Vishay Siliconix con certificación AEC-Q101 dispone de tecnologías FET de trinchera de canal n y p de baja resistencia de conexión en encapsulados SO sin plomo (Pb) y sin halógenos.

MOSFET de potencia TrenchFET

con certificación AEC-Q101

100 % comprobación Rg y UIS

Altura reducida de 1,9 mm

Enlaces relacionados