MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJQ184E-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 430 A, Mejora, PowerPAK (8x8LR) de 8 pines

No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Opciones de empaquetado:
Código RS:
252-0312
Nº ref. fabric.:
SQJQ184E-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

430A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PowerPAK (8x8LR)

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0014mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

214W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

43nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.9mm

Longitud

6.15mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET de automoción de Vishay se fabrican en un flujo de proceso dedicado para una robustez estándar. Clasificada con una temperatura de unión máxima de 175 °C, la serie SQ Vishay Siliconix con certificación AEC-Q101 dispone de tecnologías FET de trinchera de canal n y p de baja resistencia de conexión en encapsulados SO sin plomo (Pb) y sin halógenos.

MOSFET de potencia TrenchFET

con certificación AEC-Q101

100 % comprobación Rg y UIS

Altura reducida de 1,9 mm

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.