MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJQ186ER-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 329 A, Mejora, PowerPAK (8x8LR) de 8 pines

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Código RS:
252-0314
Nº ref. fabric.:
SQJQ186ER-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

329A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK (8x8LR)

Serie

SQJQ186ER

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0014mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

43nC

Disipación de potencia máxima Pd

214W

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.15mm

Altura

1.6mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET de automoción de Vishay se fabrican en un flujo de proceso dedicado para una robustez estándar. Clasificada con una temperatura de unión máxima de 175 °C, la serie SQ Vishay Siliconix con certificación AEC-Q101 dispone de tecnologías FET de trinchera de canal n y p de baja resistencia de conexión en encapsulados SO sin plomo (Pb) y sin halógenos.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

con certificación AEC-Q101

100 % comprobación Rg y UIS

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