MOSFET, Canal N-Canal Vishay SQJQ160ER-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 363 A, Mejora, PowerPAK (8x8LR) de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

3,72 €

(exc. IVA)

4,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 12 de marzo de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
1 - 93,72 €
10 - 492,30 €
50 - 991,78 €
100 +1,43 €

*precio indicativo

Código RS:
735-250
Nº ref. fabric.:
SQJQ160ER-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

363A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK (8x8LR)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0017Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

214W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

169nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Altura

1.9mm

Longitud

10.42mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

Enlaces relacionados