MOSFET, Canal N-Canal Vishay SQJQ160ER-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 363 A, Mejora, PowerPAK (8x8LR) de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

4,21 €

(exc. IVA)

5,09 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 28 de enero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 - 94,21 €
10 - 492,62 €
50 - 992,02 €
100 +1,37 €

*precio indicativo

Código RS:
735-250
Nº ref. fabric.:
SQJQ160ER-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

363A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK (8x8LR)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0017Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

169nC

Disipación de potencia máxima Pd

214W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.9mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Longitud

10.42mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

Enlaces relacionados