MOSFET sencillos, Canal P-Canal Vishay SQD50P06-15L_NE3, VDSS -60 V, ID 50 A, Modo de mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 829-351
- Nº ref. fabric.:
- SQD50P06-15L_NE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 829-351
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- SQD50P06-15L_NE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -60V | |
| Serie | SQD | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0155Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 98nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | -1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.38mm | |
| Longitud | 6.22mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Anchura | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -60V | ||
Serie SQD | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0155Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 98nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf -1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.38mm | ||
Longitud 6.22mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Anchura 6.73mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- GB
El MOSFET de potencia de alto rendimiento de Vishay está diseñado para aplicaciones de automoción. Este dispositivo garantiza un funcionamiento fiable en condiciones exigentes con características de rendimiento robustas.
La tecnología TrenchFET permite una gestión eficiente de la energía
El encapsulado de baja resistencia térmica mejora la disipación térmica
Completamente probado para R y UIS garantiza la fiabilidad
Certificación AEC-Q101 para estándares de seguridad de automoción
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