MOSFET sencillos, Canal P-Canal Vishay SQM100P10-19L_NE3, VDSS -100 V, ID -93 A, Modo de mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 829-357
- Nº ref. fabric.:
- SQM100P10-19L_NE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
2,09 €
(exc. IVA)
2,53 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 11 de febrero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,09 € |
| 10 - 24 | 2,04 € |
| 25 - 99 | 1,99 € |
| 100 + | 1,86 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 829-357
- Nº ref. fabric.:
- SQM100P10-19L_NE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -93A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -100V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | SQM | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0190Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 124nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 10.28mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Longitud | 10.16mm | |
| Altura | 4.57mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -93A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -100V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie SQM | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0190Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 124nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 10.28mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Longitud 10.16mm | ||
Altura 4.57mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- GB
El MOSFET de potencia de Vishay está diseñado para aplicaciones de automoción, ofreciendo un rendimiento eficiente y alta fiabilidad. Su tecnología TrenchFET avanzada garantiza una gestión térmica óptima y capacidades de conmutación eficaces.
La tecnología TrenchFET mejora la eficiencia y el rendimiento térmico
Valor nominal para una tensión de drenaje-fuente de -100 V, lo que garantiza un funcionamiento robusto
Encapsulado diseñado para una baja resistencia térmica para una mejor disipación del calor
Las pruebas muestran una validación 100 % R y UIS para una alta fiabilidad
Enlaces relacionados
- MOSFET sencillos VDSS -40 V Modo de mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS -60 V Modo de mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS -60 V Modo de mejora, P de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 60 V Modo de mejora, P de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 200 V Modo de mejora, P de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 60 V Modo de mejora, P de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 80 V Modo de mejora, P de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 80 V Modo de mejora, P de 8 pines