MOSFET sencillos, Canal P-Canal Vishay SQM120P06-07L_NE3, VDSS -60 V, ID -120 A, Modo de mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 829-359
- Nº ref. fabric.:
- SQM120P06-07L_NE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 829-359
- Nº ref. fabric.:
- SQM120P06-07L_NE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -60V | |
| Serie | SI | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0067Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 180nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.16mm | |
| Altura | 4.57mm | |
| Anchura | 10.28mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -60V | ||
Serie SI | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0067Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 180nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.16mm | ||
Altura 4.57mm | ||
Anchura 10.28mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- GB
El MOSFET de potencia de canal P de automoción de Vishay está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento, lo que proporciona una solución robusta para una gestión de potencia eficaz en entornos de automoción.
La tecnología TrenchFET mejora la eficiencia y reduce la pérdida de potencia
Certificación AEC-Q101 de fiabilidad en aplicaciones de automoción
El encapsulado de baja resistencia térmica garantiza una disipación térmica óptima
La excelente resistencia en estado activo a tensiones de puerta variables mejora el rendimiento
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