MOSFET, Canal P-Canal Vishay SQJ951EP-T1_NE3, VDSS -30 V, ID -30 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 904-970
- Nº ref. fabric.:
- SQJ951EP-T1_NE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tira de 1 unidad)*
1,68 €
(exc. IVA)
2,03 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 01 de febrero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s) | Por Tira |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,68 € |
| 10 - 24 | 1,09 € |
| 25 - 99 | 0,65 € |
| 100 - 499 | 0,64 € |
| 500 + | 0,61 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 904-970
- Nº ref. fabric.:
- SQJ951EP-T1_NE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -30V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.017Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 56W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 33nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Anchura | 5.13mm | |
| Certificaciones y estándares | ROHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.017Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 56W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 33nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.15mm | ||
Anchura 5.13mm | ||
Certificaciones y estándares ROHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- GB
El MOSFET de canal P doble de alto rendimiento para automoción de Vishay está diseñado para una gestión eficiente de la potencia en aplicaciones que requieren un rendimiento robusto y estabilidad térmica.
Certificación AEC-Q101 para estándares de automoción
La tecnología TrenchFET garantiza una baja resistencia de encendido
Completamente probado para garantizar la fiabilidad en condiciones estrictas
La estructura sin plomo y sin halógenos favorece el cumplimiento de la normativa ambiental
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS -60 V Modo de mejora, P de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V N, PowerPAK SO-8L de 8 pines
- MOSFET VDSS -60 V P, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS -60 V P, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS -30 V Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET sencillos VDSS -30 V Mejora, PowerPAK de 4 pines