MOSFET, Canal P-Canal Vishay SQ2309CES-T1_NE3, VDSS -60 V, ID -1.7 A, P, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
878-890
Nº ref. fabric.:
SQ2309CES-T1_NE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-1.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-60V

Serie

SQ

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.335Ω

Modo de canal

P

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.5nC

Tensión directa Vf

-1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

3.04mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

1.12mm

Anchura

2.64mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
GB
El MOSFET de canal P de automoción de Vishay está diseñado para una gestión eficiente de la potencia en aplicaciones de automoción. Con su estructura robusta y su alta fiabilidad, garantiza un rendimiento óptimo en condiciones extremas.

Certificación AEC-Q101 para aplicaciones de automoción

La tecnología TrenchFET maximiza la eficiencia y reduce la pérdida de potencia

La baja resistencia en estado activo garantiza una generación de calor mínima

Amplia gama de temperaturas para diversos entornos operativos

100 % probado R y UIS para mayor fiabilidad

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