MOSFET, Canal N-Canal onsemi FDN5630, VDSS 60 V, ID 1.7 A, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 838-618
- Nº ref. fabric.:
- FDN5630
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 838-618
- Nº ref. fabric.:
- FDN5630
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | FDN | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.1Ω | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.4mm | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Altura | 1.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie FDN | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.1Ω | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.4mm | ||
Longitud 2.9mm | ||
Altura 1.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N de onsemi está diseñado principalmente para mejorar la eficiencia de los convertidores dc-dc que utilizan controladores PWM de conmutación.
Optimizado para aplicaciones de alta frecuencia, lo que garantiza un mejor rendimiento
Dispone de valores de R DS(on) bajos, lo que mejora la eficiencia en diseños compactos
Incorpora capacidades de conmutación rápida para mejorar las velocidades operativas
Disponible en un encapsulado sin plomo y sin halógenos para el cumplimiento de la normativa medioambiental
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