MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 600 V, ID 25 A, TO-263, Reducción de 3 pines

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Código RS:
202-5495
Nº ref. fabric.:
STB33N60DM6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

ST

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.115Ω

Modo de canal

Reducción

Disipación de potencia máxima Pd

190W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

35nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.4mm

Anchura

4.6 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

15.85mm

Estándar de automoción

No

STMicroelectronics el MOSFET de potencia de canal N de alta tensión forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh™ DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado.

Resistencia dv/dt extremadamente alta

Protección Zener

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