MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 201 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
202-5687
Nº ref. fabric.:
NTB004N10G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

201A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-263

Serie

NTB

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.82mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

175nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

340W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.63mm

Certificaciones y estándares

Pb-Free and are RoHS

Anchura

4.83mm

Altura

15.88mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET DE on Semiconductor funciona con 201 amperios y 100 voltios. Se puede utilizar en intercambio en caliente en sistemas de 48 V.

Baja resistencia de drenaje a encendido de la fuente

Capacidad de corriente alta

Amplia zona de funcionamiento segura

Sin plomo

Libre de halógenos

En conformidad con RoHS

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