Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	185A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	150V
	Serie	NTB
	Encapsulado	TO-263
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	7
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	4mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	88.9nC
	Tensión directa Vf	1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd	316W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	9.2mm
	Certificaciones y estándares	Pb-Free, RoHS
	Anchura	9.9 mm
	Altura	0.6mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 185A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V
	Serie NTB
	Encapsulado TO-263
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 7
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 88.9nC
	Tensión directa Vf 1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd 316W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 9.2mm
	Certificaciones y estándares Pb-Free, RoHS
	Anchura 9.9 mm
	Altura 0.6mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - NTBGS4D1N15MC

El MOSFET de canal N sencillo DE on Semiconductor funciona con 185 amperios y 150 voltios. Se puede utilizar en herramientas eléctricas, aspiradores alimentados por batería, UAV/Drones, manipulación de materiales, BMS/almacenamiento, automatización doméstica.

Baja resistencia de drenaje a encendido de la fuente

Reduce el ruido de conmutación

Sin plomo

Libre de halógenos

En conformidad con RoHS

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 185 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

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