MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 40 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
186-1281
Nº ref. fabric.:
NVB082N65S3F
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

82mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

81nC

Disipación de potencia máxima Pd

313W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.67mm

Anchura

9.65 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.58mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No cumple

SUPERFET® III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power system for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET® MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.

700 V @ TJ = 150°C

Typ. RDS(on) = 64 m

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 81 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 722 pF)

These Devices are Pb−Free

Typical Applications

Automotive On Board Charger

Automotive DC/DC Converter for HEV

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