MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 44 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
186-1280
Nº ref. fabric.:
NVB072N65S3
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

44A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

SuperFET III MOSFET Easy-drive

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

107mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

312W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

82nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.65 mm

Altura

4.58mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No cumple

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET Easy drive series helps manage EMI issues and allows for easier design implementation.

700 V @ TJ = 150°C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 78 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 715 pF)

PPAP Capable

Typ. RDS(on) = 63 mΩ

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

PPAP Capable

Applications

HV DC/DC converter

End Products

On Board Charger

DC/DC Converter

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