- Código RS:
- 186-1280
- Nº ref. fabric.:
- NVB072N65S3
- Fabricante:
- onsemi
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 17/03/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 800)
3,584 €
(exc. IVA)
4,337 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
800 + | 3,584 € | 2.867,20 € |
*precio indicativo |
- Código RS:
- 186-1280
- Nº ref. fabric.:
- NVB072N65S3
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Estado RoHS: No cumple
Datos del Producto
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET Easy drive series helps manage EMI issues and allows for easier design implementation.
700 V @ TJ = 150°C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 78 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 715 pF)
PPAP Capable
Typ. RDS(on) = 63 mΩ
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
PPAP Capable
Applications
HV DC/DC converter
End Products
On Board Charger
DC/DC Converter
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 78 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 715 pF)
PPAP Capable
Typ. RDS(on) = 63 mΩ
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
PPAP Capable
Applications
HV DC/DC converter
End Products
On Board Charger
DC/DC Converter
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 44 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 107 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 4.5V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 2.5V |
Disipación de Potencia Máxima | 312 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±30 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Longitud | 10.67mm |
Ancho | 9.65mm |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
Estándar de automoción | AEC-Q101 |
Tensión de diodo directa | 1.2V |
Altura | 4.58mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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