MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 186-1271
- Nº ref. fabric.:
- NTB110N65S3HF
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 186-1271
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- NTB110N65S3HF
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 110mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 62nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 240W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.58mm | |
| Anchura | 9.65 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 110mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 62nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 240W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.58mm | ||
Anchura 9.65 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No cumple
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.
700 V @ TJ = 150 °C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 62 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 522 pF)
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 98 mΩ
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products
Telecom power
Server power
EV charger
Solar / UPS
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