MOSFET, N-Canal onsemi NTBG023N065M3S, VDSS 650 V, ID 70 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 277-040
- Nº ref. fabric.:
- NTBG023N065M3S
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 277-040
- Nº ref. fabric.:
- NTBG023N065M3S
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 70A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | NTB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 23mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 69nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 263W | |
| Tensión directa Vf | 6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 9.9mm | |
| Longitud | 9.2mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI (on Second Level Interconnection) | |
| Altura | 15.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 70A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie NTB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 23mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 69nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 263W | ||
Tensión directa Vf 6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 9.9mm | ||
Longitud 9.2mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI (on Second Level Interconnection) | ||
Altura 15.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Los MOSFET SiC de ON Semiconductor están optimizados para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología planar funciona de forma fiable con accionamiento de tensión negativa de puerta y suprime picos en la puerta. Tiene un rendimiento óptimo cuando se acciona con un accionamiento de puerta de 18 V, pero también funciona bien con un accionamiento de puerta de 15 V.
Carga de puerta ultrabaja
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia
100 % a prueba de avalancha
El dispositivo no contiene haluros y cumple la directiva RoHS
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