MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FCB199N65S3, VDSS 650 V, ID 14 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 172-4630
- Nº ref. fabric.:
- FCB199N65S3
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 10 unidades)*
25,96 €
(exc. IVA)
31,41 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 28 de enero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 2,596 € | 25,96 € |
| 100 - 240 | 2,238 € | 22,38 € |
| 250 + | 1,94 € | 19,40 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 172-4630
- Nº ref. fabric.:
- FCB199N65S3
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | FCB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 199mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 98W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 4.83mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie FCB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 199mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 98W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 4.83mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SuperFET III MOSFET es muy adecuado para diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia.
700 V a TJ = 150 oC
Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento
Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 30 nC)
Menor pérdida de conmutación
Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 277 pF)
Menor pérdida de conmutación
Capacitancia optimizada
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
Resistencia de compuerta interna: 7,0 ohmios
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
Típ. RDS(on) = 170 mΩ
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines