MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVB082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 186-1481
- Nº ref. fabric.:
- NVB082N65S3F
- Fabricante:
- onsemi
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 82mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 313W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 81nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.58mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Anchura | 9.65 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 82mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 313W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 81nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.58mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.67mm | ||
Anchura 9.65 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: No cumple
SUPERFET® III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power system for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET® MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.
700 V @ TJ = 150°C
Typ. RDS(on) = 64 m
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 81 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 722 pF)
These Devices are Pb−Free
Typical Applications
Automotive On Board Charger
Automotive DC/DC Converter for HEV
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